亿光GaN功率组件优势为切换速度快、集成体积小，适用于替代中低压硅基MOSFET在高频的消费电子、新能源汽车等应用场景，亿光GaN功率二极管系列产品电阻范围涵盖100 mohm~300 mohm，封装型式为DFN。