Semi-Power Device功率半导体

GaN

亿光GaN功率组件优势为切换速度快、集成体积小,适用于替代中低压硅基MOSFET在高频的消费电子、新能源汽车等应用场景,亿光GaN功率二极管系列产品电阻范围涵盖100 mOhm~300 mOhm,封装型式为DFN。

DFN 5x6

DFN 8x8

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